Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“. Kazimieras Gaivenis, Gytis Juška, Vidas Kalesinskas. 2000.
structure métal-oxyde-semi-conducteur à double diffusion — dvikartinės difuzijos MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. double diffused metal oxide semiconductor structure; double diffused MOS vok. Doppeldifusions MOS Struktur, f rus. двухдиффузионная структура метал окисел… … Radioelektronikos terminų žodynas
transistor à effet de champ à structure métal-oxyde-semi-conducteur — metalo oksido puslaidininkio lauko tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. metal oxide semiconductor FET; metal oxide semiconductor field effect transistor vok. Feldeffekttransistor mit Metall Oxid Halbleiter Aufbau,… … Radioelektronikos terminų žodynas
condensateur à structure métal-oxyde-semi-conducteur — metalo oksido puslaidininkio kondensatorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. metal oxide semiconductor capacitor vok. Metall Oxid Halbleiter Kondensator, m rus. конденсатор на структуре металл оксид полупроводник, m pranc.… … Radioelektronikos terminų žodynas
structure complémentaire métal-oxyde-semi-conducteur à grilles multiples — jungtinis MOP darinys su daugiapakopėmis užtūromis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. stacked gate complementary MOS; stacked gate complementary MOS structure vok. komplementäre Stapelgate MOS, f; Stapelgate CMOS, f rus. КМОП… … Radioelektronikos terminų žodynas
structure d'injection metal-oxyde-semi-conducteur à grilles multiples — injekcinis MOP darinys su daugiapakopėmis užtūromis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. stacked gate injection MOS; stacked gate injection MOS structure vok. Stapelgate Injektions MOS Struktur, f rus. инжекционная МОП структура… … Radioelektronikos terminų žodynas
structure métal-nitride-oxyde-semi-conducteur à double diffusion — dvikartinės difuzijos metalo nitrido oksido puslaidininkio darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. double diffused metal nitride oxide semiconductor structure; double diffused MNOS structure vok. doppeldiffundierte Metall… … Radioelektronikos terminų žodynas
structure métal-alumine-oxyde-semi-conducteur — metalo aliuminio ir silicio oksidų puslaidininkio darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. metal alumina oxide semiconductor structure vok. Metall Al₂O₃ SiO₂ Struktur, f; Metall Aluminiumoxid und Siliziumoxid Struktur, f rus … Radioelektronikos terminų žodynas
structure métal-nitrure-oxyde-semi-conducteur — metalo nitrido oksido puslaidininkio darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. metal nitride oxide semiconductor structure vok. Metall Nitrid Oxid Halbleiter Struktur, f rus. структура металл нитрид оксид полупроводник, f… … Radioelektronikos terminų žodynas
transistor à structure métal-nitrure-oxyde-semi-conducteur — metalo nitrido oksido puslaidininkio lauko tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. metal nitride oxide semiconductor transistor; MNOS transistor vok. Metall Nitrid Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor, m rus. полевой… … Radioelektronikos terminų žodynas
transistor à structure métal-nitrure-oxyde-semi-conducteur à grille auto-alignée — metalo nitrido oksido puslaidininkio lauko tranzistorius su susitapatinančia užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. self aligned gate metal nitride oxide semiconductor transistor vok. Metall Nitrid Oxid Halbleiter Transistor … Radioelektronikos terminų žodynas
